کیپیسیٹر اور ڈائی الیکٹرک لیب

اس سمیولیشن کے بارے میں

کیپیسیٹر اور ڈائی الیکٹرک لیب ایک 3D الیکٹروسٹیٹکس سمولیشن ہے جہاں طلباء متوازی پلیٹ کیپیسیٹر کی جیومیٹری اور ڈائی الیکٹرک مواد میں ہیر پھیر کرتے ہیں۔ دو دھاتی پلیٹوں کو ایک قابل ایڈجسٹ DC بیٹری سے تاروں کے ذریعے جوڑا جاتا ہے جبکہ سرخ (+) اور نیلے (−) سطح کے چارجز اندرونی چہروں پر جمع ہوتے ہیں اور سیان ویکٹر تیر یکساں الیکٹرک فیلڈ E = V / d کو ظاہر کرتے ہیں۔ طلباء علیحدگی d کو تبدیل کرنے کے لیے اوپری پلیٹ کو اوپر یا نیچے گھسیٹ سکتے ہیں، پلیٹ کا رقبہ A تبدیل کر سکتے ہیں، اور گیپ میں امبر ڈائی الیکٹرک سلیب کو افقی طور پر گھسیٹ سکتے ہیں۔ سلیب کے اندر، سالماتی ڈائی پول ڈمبیل فیلڈ کے ساتھ سیدھ میں آنے کے لیے واضح طور پر گھومتے ہیں، جو یہ ظاہر کرتے ہیں کہ ڈائی الیکٹرک C = kappa epsilon_0 A / d کے مطابق کیپیسیٹنس کو کیوں بڑھاتا ہے۔

طلبہ کیا دریافت کر سکتے ہیں

پلیٹ کی علیحدگی d کو آدھا کرنے کے لیے اوپری پلیٹ کو نیچے کی طرف گھسیٹیں اور تصدیق کریں کہ کیپیسیٹنس C، ذخیرہ شدہ چارج Q، اور الیکٹرک فیلڈ E سب دوگنا ہو جاتے ہیں۔
امبر ڈائی الیکٹرک سلیب کو 0% سے 100% انسرشن تک گھسیٹیں اور دیکھیں کہ اضافی + اور - چارجز بیٹری سے پلیٹوں پر بہتے ہیں کیونکہ کیپیسیٹنس kappa سے ضرب کھاتی ہے۔
گیپ اور ڈائی پولز کیمرے کے منظر کے ساتھ زوم ان کریں اور ڈائی الیکٹرک کے اندر سرخ/نیلے سالماتی ڈائی پولز کو سیدھ میں گھومتے دیکھنے کے لیے بیٹری وولٹیج V کو تبدیل کریں۔
پلیٹ کا رقبہ A کو 100 cm² سے 400 cm² تک بڑھائیں اور چیک کریں کہ کیپیسیٹنس C اور ذخیرہ شدہ توانائی U چار گنا ہو جاتی ہے۔
اس بات کی تصدیق کرنے کے لیے کہ وولٹیج کو دوگنا کرنے سے ذخیرہ شدہ الیکٹروسٹیٹک توانائی چار گنا ہو جاتی ہے، 6 V اور 12 V پر ذخیرہ شدہ توانائی U = 1/2 C V² کا موازنہ کریں۔

تدریسی مقاصد

1C = kappa epsilon_0 A / d کا استعمال کرتے ہوئے پلیٹ جیومیٹری اور پرمیٹیوٹی سے متوازی پلیٹ کیپیسیٹنس کا حساب لگائیں۔
2سالماتی سطح پر وضاحت کریں کہ ڈائی الیکٹرک کے اندر ڈائی پول پولرائزیشن خالص اندرونی فیلڈ کو کیسے کمزور کرتی ہے اور کیپیسیٹنس کو بڑھاتی ہے۔
3پیش گوئی کریں کہ وولٹیج V، پلیٹ کا رقبہ A، یا علیحدگی d کو تبدیل کرنے سے ذخیرہ شدہ چارج Q = C V اور ذخیرہ شدہ توانائی U = 1/2 C V² پر کیا اثر پڑتا ہے۔
4E = V / d کے ذریعے پلیٹوں کے درمیان یکساں الیکٹرک فیلڈ کی طاقت کو وولٹیج اور گیپ کے فاصلے سے جوڑیں۔

اساتذہ کے عام سوالات

ڈائی الیکٹرک سلیب داخل کرنے سے کیپیسیٹر کی کیپیسیٹنس کیوں بڑھ جاتی ہے؟

بیرونی الیکٹرک فیلڈ موصل ڈائی الیکٹرک کے اندر انووں کو پولرائز کرتا ہے، ان کے مثبت سروں کو منفی پلیٹ کی طرف اور منفی سروں کو مثبت پلیٹ کی طرف سیدھ میں کرتا ہے۔ یہ سلیب کے اندر ایک چھوٹا سا مخالف الیکٹرک فیلڈ بناتا ہے، جو بیٹری کو اسی وولٹیج پر پلیٹوں پر kappa گنا زیادہ چارج دھکیلنے کی اجازت دیتا ہے۔

پلیٹ کی علیحدگی d کیپیسیٹنس اور الیکٹرک فیلڈ کو کیسے متاثر کرتی ہے؟

کیپیسیٹنس C = kappa epsilon_0 A / d اور الیکٹرک فیلڈ E = V / d دونوں علیحدگی d کے معکوس متناسب ہیں۔ پلیٹوں کو ایک دوسرے کے قریب لانے سے دونوں پلیٹوں پر مخالف چارجز کے درمیان کشش مضبوط ہوتی ہے، جس سے C، Q، U، اور E بڑھتے ہیں۔

ذخیرہ شدہ توانائی U وولٹیج کے مربع (V²) کے ساتھ کیوں بڑھتی ہے؟

کیونکہ ذخیرہ شدہ چارج Q = C V خود وولٹیج V کے متناسب ہے، چارج کی ہر اضافی اکائی کو مسلسل بلند ہائر پوٹینشل فرق کے خلاف پلیٹ پر دھکیلا جانا چاہیے، جس سے U = 1/2 Q V = 1/2 C V² ملتا ہے۔

کیا کیپیسیٹر پلیٹوں کے درمیان گیپ سے کرنٹ بہتا ہے؟

کوئی کنڈکشن کرنٹ موصل ہوا یا ڈائی الیکٹرک گیپ کو عبور نہیں کرتا ہے۔ اس کے بجائے، چارجنگ کرنٹ بیرونی بیٹری کی تاروں سے گزرتا ہے جب تک کہ پلیٹوں کے پار وولٹیج بیٹری کے وولٹیج کے برابر نہ ہو جائے۔

یہ سمیولیشن اپنی سائٹ میں شامل کریں

اسے اپنے ایل ایم ایس، بلاگ یا کلاس کی ویب سائٹ پر لگائیں — مفت۔

<iframe src="https://kiwibee.io/ur/simulations/parallel-plate-capacitor-3d-3d-simulation/embed" title="کیپیسیٹر اور ڈائی الیکٹرک لیب | KiwiBee" loading="lazy" allowfullscreen style="width:100%;height:min(70vh,620px);min-height:420px;border:0;border-radius:16px"></iframe>

دریافت جاری رکھیں

Explore an adult male reference body in 3D. Reveal 14 anatomical systems, search thousands of named structures, isolate organs, and pull 2,209 modeled pieces apart to see how the body is organized.

—

Explore the head and neck in 3D: 643 source meshes across 14 layers, 47 facial and masticatory muscles, and 77 drawn nerves, vessels and glands the source scan omits. Open any tooth onto its own pulp canal, and follow the seven stages of tooth development.

—